技术领域

    本发明涉及耐高温保护膜领域，具体是一种导电玻璃制程用耐高温保护膜。

背景技术

耐高温保护膜，是指在高温作业环境下使用的胶粘制品，广泛应用于电子工业领域，耐温性能通常可在120度到260度之间，常用于各种工艺品喷漆、烤漆皮革加工、涂装遮蔽和电子零件制程中固定、印刷电路板及高温处理的保护作用。高温胶带包括KAPTON高温保护膜；铁氟龙耐高温保护膜；高温美纹纸胶带；PET绿色高温保护膜；高温双面膜等。高温保护膜主要从以下及几点进行识别：1，味道；2，外观；3，点火燃烧后的残留物；4，实际高温测试，过260度的高温，检查是否有残胶，收缩等现象。普通玻璃是绝缘材料，通过在其表面镀上一层导电膜，即可使其具备导电性能。这就是导电玻璃。氧化铟锡透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。产品广泛地用于液晶显示器、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。

现有的保护膜在高温蒸镀过程中，由于PET保护膜基材中的小分子析出容易造成雾化现象，影响对ITO导电玻璃制成测试和判断，且在收卷过程中易出现耦合现象。

发明内容

本发明的目的在于提供一种导电玻璃制程用耐高温保护膜，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种导电玻璃制程用耐高温保护膜，包括PI离型膜、低粘度胶层、光学PI基材和封盖层；所述PI离型膜设置在最上层；所述PI离型膜的下层为低粘度胶层；所述低粘度胶层的下层为光学PI基材；所述光学PI基材的下层为封盖层。

作为本发明进一步的方案：所述封盖层为树脂涂层，所述树脂涂层为酚醛树脂或聚酯树脂涂层，树脂涂层的厚度为10-800纳米。

作为本发明再进一步的方案：所述PI离型膜为聚酰亚胺离型膜；所述PI离型膜的厚度为10-50微米。

作为本发明再进一步的方案：所述低粘度胶层为丙烯酸胶粘层或聚氨酯胶粘层，其厚度为10-20微米，所述低粘度胶层的初始剥离力为10g/25mm。

作为本发明再进一步的方案：所述光学PI基材的厚度为50-120微米。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本导电玻璃制程用耐高温保护膜有效解决了高温处理过程中的PI基材中小分子析出造成雾化现象的问题，同时本导电玻璃制程用耐高温保护膜大大提高了抗耦合作用。

附图说明

图1为一种导电玻璃制程用耐高温保护膜的结构示意图。

图中：PI离型膜1、低粘度胶层2、光学PI基材3、封盖层4。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明实施例中，一种导电玻璃制程用耐高温保护膜，包括PI离型膜1、低粘度胶层2、光学PI基材3和封盖层4，所述封盖层4为树脂涂层，所述树脂涂层为酚醛树脂或聚酯树脂涂层；树脂涂层的厚度为10-800纳米，所述PI离型膜1设置在最上层，所述PI离型膜1为聚酰亚胺离型膜；所述PI离型膜1的厚度为10-50微米；

所述PI离型膜1的下层为低粘度胶层2，所述低粘度胶层2为丙烯酸胶粘层或聚氨酯胶粘层，其厚度为10-20微米，所述低粘度胶层2的初始剥离力为10g/25mm；所述低粘度胶层2的下层为光学PI基材3，所述光学PI基材3的厚度为50-120微米；所述光学PI基材3的下层为封盖层4。

尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。